| 品牌：honeywell | 規格：4DP7APXSR111 | 材質：懂客戶心，好價等你詢！！！ |
| 產地：原廠 |
4DP7APXSR111 honeywell
進氣壓力傳感器檢測的是節、氣門後方的進氣歧管的壓力，它根據發動機轉速和負荷的大小檢測出歧管內壓力的變化，然後轉換成信號電壓送至電子控制器（ECU），ECU依據此信號電壓的大小，控制基本噴油量的大小。
進氣壓力傳感器種類較多，有壓敏電阻式、電容式等。由於壓敏電阻式具有響應時間快、檢測度高、尺寸小且安裝靈活等優點，因而被廣泛用於D型噴射係統中。
壓敏電阻式進氣壓力傳感器的工作原理。
應變電阻R1、R2、R3、R4,它們構成惠斯頓電橋並與硅膜片粘接在起。硅膜片在歧管內的壓力作用下可以變形，從而引起應變電阻R阻值的變化，歧管內的壓力越高，硅膜片的變形越大，從而電阻R的阻值變化也越大。即把硅膜片機械式的變化轉變成了電信號，再由集成電路放大後輸出至ECU。 冷卻係統的作用是在所有工況下，保證發動機在適宜的溫度下工作，冷卻係統匹配的是否合適將直接影響到發動機的使用壽命和燃油經濟性，所以在冷卻係統的設計及計算中，散熱器的選型以及風扇的匹配對冷卻係統起著至關重要的作用。
為便於組織氣流，散熱器布置在整車的前面，但由於受到整車布置空間的限制，在其前面還布置了空調冷凝器，這會增加風阻，影響散熱器的進風量，從而影響冷卻係統的冷卻能力。風扇布置在散熱器後面，靠風扇電機帶動。
發動機冷卻係統的的循環
汽車發動機的冷卻係為強制循環水冷係，即利用水泵提高冷卻液的壓力，強制冷卻液在發動機中循環流動。冷卻係主要由水泵、散熱器、冷卻風扇、補償水箱、節溫器、發動機機體和氣缸蓋中的水套以及附屬裝置等組成。
在冷卻係統中，其實有兩個散熱循環：個是冷卻發動機的主循環，另個是車內取暖循環。這兩個循環都以發動機為中心，使用是同冷卻液。
、 冷卻發動機的主循環
主循環中包括了兩種工作循環，即“冷車循環”和“正常循環”。冷車著車後，發動機在漸漸升溫，冷卻液的溫度還無法打開係統中的節溫器，此時的冷卻液只是經過水泵在發動機內進行“冷車循環”，目的是使發動機盡快地達到正常工作溫度。隨著發動機的溫度，冷卻液溫度升到了節溫器的開啟溫度(通常這溫度在80℃後)，冷卻循環開始了“正常循環”。這時候的冷卻液從發動機出來，經過車前端的散熱器，散熱後，再經水泵進入發動機。
二、 車內取暖的循環
這是個取暖循環，但對於發動機來說，它同樣是個發動機的冷卻循環。冷卻液經過車內的採暖裝置，將冷卻液的熱量送入車內，然後回到發動機。有點不同的是：取暖循環不受節溫器的控制，只要打開暖氣，這循環就開始進行，不管冷卻液是冷的、還是熱的。：目前使用廣泛的晶體管是CMOS晶體管，CMOS晶體管特點是什麼？首先CMOS晶體管功耗和抗幹擾能力優於同時期的TTL器件，而且速度和TTL器件相當，所以CMOS取代TTL是大勢所趨，我們看到目前集成電路上的晶體管還有幾乎所有PLD器件都是採用CMOS技術，這點就說明了CMOS的大行其道。
目前使用廣泛的晶體管是CMOS晶體管，CMOS晶體管特點是什麼？首先CMOS晶體管功耗和抗幹擾能力優於同時期的TTL器件，而且速度和TTL器件相當，所以CMOS取代TTL是大勢所趨，我們看到目前集成電路上的晶體管還有幾乎所有PLD器件都是採用CMOS技術，這點就說明了CMOS的大行其道。
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。
CMOS數字集成電路是利用NMOS管和PMOS管巧妙組合成的電路，屬於種微功耗的數字集成電路。主要係列有：
1．標準型4000B4500B係列 該係列是以美國RCA的CD4000B係列和CD4500B係列制定的，與美國Motorola的MC14000B係列和C14500B係列產品完全兼容。該係列產品的大特點是工作電源電壓範圍寬（3∼18V）、功耗小、速度較低、品種多、價格低廉，是目前CMOS集成電路的主要應用產品。
2．74HC–係列 5474HC–係列是高速CMOS標準邏輯電路係列，具有與74LS – 係列同等的工作度和CMOS集成電路固有的低功耗及電源電壓範圍寬等特點。74HCxxx是74LSxxx同序號的翻版，型號後幾位數字相同，表示電路的邏輯功能、管腳排列完全兼容，為用74HC替代74LS提供了方便。
3．74AC–係列 該係列又稱“先進的CMOS集成電路”，5474AC 係列具有與74AS係列等同的工作速度和與CMOS集成電路固有的低功耗及電源電壓範圍寬等特點。 CMOS集成電路的主要特點有：
（1）具有非常低的靜態功耗。在電源電壓V=5V時，中規模集成電路的靜態功耗小於100mW。
（2）具有非常高的輸入阻抗。正常工作的CMOS集成電路，其輸入保護二管處於反偏狀態，直流輸入阻抗大於100MΩ。
（3）寬的電源電壓範圍。CMOS集成電路標準4000B4500B係列產品的電源電壓為3∼18V。
（4）扇出能力強。在低頻工作時，個輸出端可驅動CMOS器件50個以上輸入端。
（5）抗幹擾能力強。CMOS集成電路的電壓噪聲容限可達電源電壓值的45%，且高電平和低電平的噪聲容限值基本相等。
（6）邏輯擺幅大。
復合晶體管，指在IC中，常常把幾個晶體管連接起來而構成具有定功能的晶體管；在分析時般是把它們當作個整體來處理。常用的復合晶體管有達林頓（Darlington）晶體管、-CE復合管、復合p-n-p晶體管等。
-CE復合管
這種復合晶體管也是由兩個n-p-n晶體管構成的（見圖2），個BJT（T1）是組態（射跟隨器），二個BJT（T2）是CE組態，總的可等效為個CE組態的n-p-n晶體管（性與T2管相同）。該復合晶體管與達林頓晶體管的差別僅在於T1的集電不與T2的集電相連接。這接法上的小小改動，卻對於提高復合晶體管的頻率特性大有好處，因為這時T1的集電結勢壘電容就不再是Miller電容了；而且該復合晶體管的其它性能參數（輸入電阻、電流增益和跨導等）都與達林頓晶體管的相同，並且輸出電阻還有所提高（這時的輸出電阻就等於T2的輸出電阻）。因此-CE復合管在IC中大有用武之地。
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