| 品牌：GE | 規格：IC693PWR330 | 材質：IC693PWR330 |
| 產地：美國 |
IC693PWR330
2.1 目前國內主要的產品狀況 (1) 晶閘管變流器和可關斷器件(BJT、IGBT、VDMOS)斬波器供電的直流調速設備:這類設備的市場很大，隨交流調速的發展，該市場雖在縮減，但由於我國舊設備改造任務多，以及它在幾百至一千多千瓦範圍內價格比交流調速低的多。所以在短期內市場不會縮減很多。國產設備能滿足需要，部分出口，但自行開發的控制器多為模擬控制，近年來主要採用進口數字控制器配國產功率裝置。 (2) IGBT-PWM逆變器供電的交流變頻調速設備:這類設備的市場很大，總容量佔的比例不大，但臺數多，增長快，應用範圍從單機擴展到全生產線，從簡單的V/F控制到的矢量控制。約有50家工廠和公司生產，其中合資企業佔很大比重。 (3) 負載換流式電流型晶閘管逆變器供電的交流變頻調速設備:這類產品在抽水蓄能電站的機組起動，大容量風機、泵、壓縮機和軋機傳動方面有很大需求。國內只有少數科研單位有能力制造，目前容量大做到12MW。功率裝置國內配套，自行開發的控制裝置只有模擬式的，數字裝置需進口，自己開發應用軟件。 (4) 交-交變頻器供電的交流變頻調速設備:這類產品在軋機和礦井卷揚傳動方面有很大需求。臺數不多，功率大。主要靠進口，國內只有少數科研單位有能力制造。目前大容量做到7000-8000kW。功率部分國產，數字控制裝置進口，包括開發應用軟件。 附表中: 1、我國第一臺電機擴大機是在1955年制造出來的 2、我國第一臺汞弧整流器(5A，600V)是在1952年制造出來的 3、我國第一只晶閘管(5A，400V)是在1963年制造出來的 2.2變頻調速技術在國民經濟和日常生活中的重要地位 (1) 應用面廣，是工業企業和日常生活中普遍需要的新技術。 (2) 是節約能源的高新技術。 (3) 是國際上技術更新換代快的領域。 (4) 是高科技領域的綜合性技術。 (5) 是替代進口，節約投資的大領域之一。 3國內外技術現狀對比 3.1 國外現狀在大功率交－交(循環變流器)變頻調速技術方面，法國阿爾斯通已能提供單機容量達3萬kW的電氣傳動設備用於船舶推進係統。在大功率無換向器電機變頻調速技術方面，意大利ABB公司提供了單機容量為6萬kW的設備用於抽水蓄能電站。在高壓變頻調速技術方面, 西門子高壓IGBT的三電平大容量變頻器，電壓為2.3kV、3.3kV、4.16kV、6kV，容量800kVA-4000kVA;ABB高壓IGCT的三電平大容量變頻器，電壓為2.3kV、3.3kV、4.16kV、6.6kV，容量315kW-7460kW;ROBICON、東芝低壓IGBT的多重式、多級串聯高壓變頻器，電壓為2.3kV--13.8kV，容量800kW-5600kW;其控制係統已實現全數字化，用於電力機車、風機、水泵傳動。在小功率交流變頻調速技術方面，日本富士BJT變頻器大單機容量可達700kVA，IGBT變頻器已形成係列產品，其控制係統也已實現全數字化。附表 我國電氣傳動與變頻調速技術的發展簡史。
開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給晶體管提供基極電流，使導通。反之，加反向門極電壓溝道，流過反向基極電流，使關斷。 驅動方法和 本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。 當MOSFET的溝道形成後，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使在高電壓時，也具有低的通態電壓。 工作特性包括靜態和動態兩類： 1 ．靜態特性:靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。 伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關係曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區 1 、放大區2和擊穿特性3部分。在截止狀態下的 ，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩衝區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩衝區後，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了某些應用範圍。 轉移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關係曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵源電壓小於開啟電壓Ugs(th) 時，處於關斷狀態。在導通後的大部分漏極電流範圍內，Id與Ugs呈線性關係。高柵源電壓受大漏極電流限制，其佳值一般取為15V左右。 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關係。處於導通態時，由於它的晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET的電流成為總電流的主要部分。此時，通態電壓 Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為 0.7 ∼ IV ； Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降； Roh ——溝道電阻。 通態電流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+B)Imos 式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。 由於N+區存在電導調制效應，所以通態壓降小，耐壓1000V 的通態壓降為2∼3V 。 處於斷態時，只有很小的泄漏電流存在。 2 ．動態特性在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET來運行的，只是在漏源電壓Uds下降過程後期， 晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on)為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton即為td(on)tri之和。漏源電壓的下降時間由tfe1和tfe2組成，如圖 2 － 58 所示 在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為 MOSFET 關斷後，晶體管的存儲電荷難以迅速，造成漏極電流較長的尾部時間， td(off)為關斷延遲時間， trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖 2 － 59 中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關斷時間 t(off)=td(off)+trv 十 t(f) （ 2 － 16 ） 式中， td(off) 與 trv 之和又稱為存儲時間。 4月26日-28日，和利時公司將在溫州舉辦小型一體化PLC免費技術培訓。 作為和利時公司為廣大PLC用戶提供的增值服務的一部分，為期三天的技術培訓班已成為用戶了解和利時公司國產小型PLC產品的窗口和吸收先進技術的實踐平臺。面對新的一年，和利時公司將充分地發揮各個分支的服務優勢，提升培訓水平，加大免費培訓的力度，為用戶提供更具品質的技術服務。 和利時PLC免費技術培訓班由專職人員講解，提供專業計算機教室上機實踐學習。本期將安排教授、技術工程師給學員詳細講解： 1. IEC61131-3標準指令、算法，編程語言的結構化、模塊化編程方式； 2. IEC61131-3標準軟件PowerPro的應用；Powerpro編程軟件特有的標準庫、應用庫和定制庫； 3. 對實際應用案例進行專題講解，包括上位機、觸摸屏與ＰＬＣ的連接、編程，模擬量的採集、輸入輸出，ＰＬＣ對電機、變頻器設備控制等。 課程安排時間緊湊、內容詳實，學員通過聽課、實際的上機操作，達到即學即用的目的。 培訓期間，和利時公司為學員提供全套的G3 PLC資料以及免費工作餐，培訓時間及課程內容安排如下： 歡迎來電咨詢！
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