DSTA131_廈門仲鑫達自動化設備有限公司

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望眼欲穿，卻驀然回首，發現真正好的工控品牌都在---《廈門仲鑫達自動化設備有限公司》

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廈門仲鑫達自動化設備有限公司

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半導體產業正在迎來下一代存儲器技術的新，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以採用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰，並探討實現 STT MRAM 商業可行性的進展。

應用材料公司為實現 STT MRAM 的制造提供了多項重要創新，包括基於Endura? 平臺上的PVD創新以及特別的蝕刻技術。利用這些新技術並借助梅丹技術中心的設施來加工並測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性。

如今，除了邏輯元件和其他電路元件外，典型的微控制器 (MCU) 包括用作工作存儲器的 SRAM 和用作儲存存儲器的閃存。當前業界遇到的閃存問題是，要將浮柵 (FG) 的制造工藝對邏輯門性能的影響降低。為此，制造商通常會使用多達 10 個的額外掩膜層，這必然會增加其復雜性和成本。在<28nm 的節點，邏輯部分的工藝將遷移到高 k 柵介質/金屬柵極(HKMG)，由於 HKMG 的熱預算有限，將導致工藝集成更為復雜。

DSAI 133 57120001-PS

DSAO 130 57120001-FG

DSAX452

DSCL110 57310001-HD

DSCL110A 57310001-KY

DSDI 110 57160001-A/13,57160001-A

DSDI 120 57160001-E/13

DSDO 120 57160001-AK

DSDX-B001 57160001-TP/1

DSDX110 YB161102-AH/3

DSMB110 5736 0001A/4

DSMB115 57360001-CO/5

DSMB116 5736 0001-EB/2

DSMB123 5736 0001-AH3

DSMB124 57360001-U/3

DSMB125 5736001-AW/3

DSMB127 57360001-HG/2

DSMB133 5736 0001-CY

DSMB137 5736 0001-FA

DSMB151 5736 0001-K

DSMB175 5736 0001-KG

DSMC110 57330001-N/4

DSPA110 YB161102-AK/2

DSPC 153 57310256-BA/2

DSPC-150 57310256-AF/2

DSPC157 57310001-GP

DSPC170H 57310001-LC/2

DSQC129 YB161102-BV/1

DSQC205 YB560103-AD/1

DSQC206 YB560103-AG

DSQC228

DSQC252

DSSA165 48990001-LY

DSSR115 48990001-FE/3

DSTD120 57160001-P/1

DSTD120A 57160001-UD, 2668 180-99/1

DSTK126 26390582-AY

PFBK101 YM114001-GF

PFBK102