該設備主要用於半導體芯片、集成電路芯片、探測器芯片、激光器芯片、金屬濺射薄膜壓敏芯片、紅外成像芯片、非制冷紅外熱成像芯片、氣體傳感器芯片、半導體電容式指紋辨識芯片、功率半導體器件、硅基輻射探測器的高真空低溫封裝工藝。
設備型號:TF300-100-HV-T10
額度溫度:300℃
工作溫度:RT-250℃
溫控精度:±1℃
加熱元件:紅外鹵素燈管(環形加熱)
加熱尺寸:100mm*400mm(Φ*L)
有效空間:90mm*250mm(Φ*L)
測溫元件:K型,共2只,1控溫,1監測
升溫速率: 10℃/Min
加熱功率:4.8Kw
真空配置:分子泵+無油幹泵(潔凈度高)
極限真空:3.0*10-4Pa(空爐、經凈化、室溫、充分脫氣)
工作真空:6.67*10-2Pa至6.67*10-3Pa
控制顯示:10英寸液晶觸摸屏