6SN1118-0AA11 0AA1功率參詳
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1)整流橋
其作用是整流(將交流變成直流)。整流橋內部封裝形式有以下兩種,封裝內部有6只整流二極管,用在功率單元的三相輸入端;封裝內部有2只整流二極管,用在功率單元的三相輸入端以及旁通回路中。使用的整流橋電壓等級有:1400V、1800V;
2)可控硅
可控硅使用在充電電路和旁通回路上,均起“開關”作用。使用的可控硅電壓等級有:1400V、1800V;
3)電解電容
其作用是對整流橋整流後的直流進行濾波。
使用的電壓等級有:400V。
使用的容量有3300uF、6800uF、10000uF。
4) IGBT
其作用是逆變(將直流變為交流)。IGBT大部分為“雙管”(內部封裝了兩組IGBT模塊)。使用的IGBT電壓等級有:1200V、1700V;使用的IGBT電流等級有:75A、100A、150A、200A、300A、400A等 。