面對環保、能源等社會問題的日益嚴峻以及半導體電子產業的技術革新,ROHM(羅姆)專注功率、電源及模擬技術,推出電源管理芯片、功率器件等重磅級產品,助力工業及汽車電子領域研發項目節能,大幅減少開發周期和風險。點擊文末鏈接或掃二維碼,可查看更多相關資料、申請免費樣品等~
新產品介紹 :
SerDes IC係列:
· 用來傳輸影像的SerDes IC“BU18xMxx-C”:根據分辨率優化傳輸速率,功耗可降低27%;通過傳輸速率優化功能和展頻功能將EMI峰值降低20dB左右;凍結檢測功能可以檢測圖像的凍結狀態,提高整個ADAS係統可靠性。
PMIC BD86852MUF-C:
· 用於攝像頭的PMIC(電源管理IC)“BD86852MUF-C”:僅通過單個IC即可進行電壓設置和時序控制,安裝面積減少約41%;通過抑制發熱量,實現78.6%的高轉換效率,進一步降低功耗。
Hybrid IGBT單管(RGWxx65C係列):
· 內置SiC二極管,損耗比以往IGBT產品低67%,為普及中的車載電子設備和工業設備提供更高性價比
· 符合AEC-Q101標準,可在車載和工業設備等嚴苛環境下使用
AC/DC 轉換器IC(BM2P06xMF-Z 係列):
· 內置 730V 耐壓 MOSFET,表貼封裝、可支持高達45W的輸出功率,有助於降低工廠的安裝成本
· 採用了融入ROHM高耐壓工藝技術和模擬設計技術的控制電路,待機功耗比普通產品低90%以上
· 電源電路元器件數量減少4個,功率半導體的故障風險更低,電源的可靠性更高
AC/DC轉換器IC(BM2SC12xFP2-LBZ):
· 內置1700V SiC MOSFET、可支持高達48W 輸出功率的小型表貼封裝,有助於削減工廠的安裝成本
· 將散熱板和多達12個部件縮減為1個,在小型化方面具有壓倒性優勢
· 減少開發周期和風險,內置保護功能,可靠性顯著提高
· 搭載的SiC MOSFET 驅動用柵極驅動電路,激發SiC MOSFET 性能,節能效果顯著
BD8758xYx-C運算放大器:
· 在4種國際抗擾度評估測試中均實現非常出色的抗幹擾性能,可減輕降噪設計負擔
· 配備倣真模型,可防止實際試制後返工
充電控制IC(BD71631QWZ):
· 支持需要低電壓充電的全固態和半固態電池等新型二次電池的充電,實現從2.0V到4.7V的寬充電電壓範圍
· 非常適合搭載薄型二次電池應用的封裝尺寸,採用ROHM自有封裝技術的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封裝
· 可設置CCCV*2充電的各項充電特性(充電電流、終止電流等),為搭載新型二次電池的可穿戴設備和小而薄的物聯網設備提供理想的充電環境
MOSFET(QH8Mx5/SH8Mx5係列):
· 實現業界超低導通電阻,新工藝±40V耐壓產品Pch部分的導通電阻降低61%,Nch部分的導通電阻降低39%
· 雙極MOSFET,有助於實現設備的小型化和縮短設計周期