用途：
新型的寬禁帶半導體材料,氧化鎵（Ga2O3）由於自身的優異性能,憑借其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測、高頻功率器件等領域吸引了越來越多的關注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作於Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。
青島晨立生產的氧化鎵退火爐主要適用於科研單位、高等院校、研究機構及企業。主要用於2-6英寸氧化鎵的退火等工藝使用。
豫公安備 41010502000017號