美國UDM AKLC300係列濃縮晶圓切削液
用於切片之後對光伏硅片進行清洗
去離子水/反滲透水:洗滌劑溶液比例– 1000:1至500:1
使用溫度:45°C- 70°C
的濕潤、清潔和衝洗功能
降低去離子水/反滲透水表面張力
可以清潔硅片表面的碳化硅(SiC)塵埃以及其他臟污
在切片以及去膠工序之後清除光伏硅片表面的銅和鐵
可生物降解、無危害,可以很容易進行處置
生化需氧量(BOD) < 2.0 mg/L (BOD小於2.0 mg/L)
化學需氧量(COD) < 10.0 mg/L (COD小於10.0 mg/L)
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