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　英飛淩是功率半導體行業運用新技術的。該


公司於2001年生產出了SiC二極管。在Si功率元


件方面，也開始使用直徑為300mm的晶圓進行量


產。


　　但英飛淩對GaN功率元件卻始終保持謹慎態度，


這從文章開篇那段話也可以看出來。其中所說的“


未知的部分”，包括故障的機理等。英飛淩還指出


，結晶缺陷多也是該公司對GaN功率元件持謹慎態度


的一大原因。目前，為了削減成本，GaN功率元件的


制作還在Si晶圓上進行。而Si和GaN屬於不同的材料


，因此，缺陷容易增加。


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