¬ü°ê KRI ÀNº¸Â÷¤l·½ Gridless eH «Y¦C
¬ü°ê KRI ÀNº¸Â÷¤l·½ eH «Y¦Cºò´ê³]p, °ª¹q¬y§C¯à¶q¼e§ô«¬Â÷¤l·½, ´£¨Ñì¤lµ¥¯Åªº²Ó·L¥[¤u¯à¤O, ÀNº¸Â÷¤l·½ eH ¥i¥H¥H¯Ç¦Ìºë«×¨Ó³B²zÁ¡½¤¤Îªí±, ¦hºØ«¬¸¹º¡¨¬¬ì¬ã¤Î¤u·~, ¥b¾ÉÅéÀ³¥Î. ÀNº¸Â÷¤l·½°ª¹q¬y´£°ªÁὤ¨I¿n³t²v, §C¯à¶q´î¤ÖÂ÷¤lÅFÀ»·l¶Ëªí±, ¼e§ô³]p´£°ª§]¦R¶q©MÂл\¨I¿n°Ï. ¾ãÅé©ö¾Þ§@, ©öºûÅ@. ÀNº¸Â÷¤l·½ eH ´£¨Ñ¤@®M§¹¾ãªº¤è®×¥]§tÂ÷¤l·½, ¹q¤l¤¤©M¾¹, ¹q·½¨ÑÀ³¾¹, ¬y¶q±±¨î¾¹ MFC µ¥µ¥¥i¥Hª½±µ¾ã¦X¦b¦UÃþ¯uªÅ³]³Æ¤¤, ¨Ò¦pÁὤ¾÷, load lock, Âq®g«Y²Î, ¨÷¶Áὤ¾÷µ¥.
¬ü°ê KRI ÀNº¸Â÷¤l·½ eH ¯S©Ê
µL¬]·¥
°ª¹q¬y§C¯à¶q
µo´²¥ú§ô >45
¥i§Ö³t§ó´«¶§·¥¼Ò¶ô
¥i¿ï Cathode / Neutralize ¤¤©M¾¹
¬ü°ê KRI ÀNº¸Â÷¤l·½ eH ¥DnÀ³¥Î
»²§UÁὤ IBAD
ÂqÁá&»]Áá PC
ªí±§ï©Ê¡B¿E¬¡ SM
¨I¿n (DD)
Â÷¤l»k¨è LIBE
¥ú¾ÇÁὤ
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)
¨Ò¦p
1. Â÷¤l»²§UÁὤ¤Î¹q¤lºj»]Áá
2. ½u¤W¦¡ºÏ±±Âq®g¤Î»]Áá³]³Æ¹w²M¬~
3. ªí±³B²z
4. ªí±µw¤Æ¼hÁὤ
5. ºÏ±±Âq®g»²§UÁὤ
7. °¾À£Â÷¤l§ôºÏ±±Âq®gÁὤ
ÀNº¸Â÷¤l·½ eH «Y¦C¦b°â«¬¸¹:
«¬¸¹ | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | eH Linear |
¤¤©M¾¹ | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F |
¶§·¥¹qÀ£ | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V | 50-300 V |
Â÷¤l§ô¬y | 5A | 10A | 10A | 20A | ®Ú¾Ú¹ê»ÚÀ³¥Î |
´²®g¨¤«× | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
®ðÅé¬y¶q | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm | ®Ú¾Ú¹ê»ÚÀ³¥Î |
¥»Åé°ª«× | 3.0¡§ | 4.0¡§ | 4.0¡§ | 6.0¡§ | ®Ú¾Ú¹ê»ÚÀ³¥Î |
ª½®| | 3.7¡§ | 5.7¡§ | 5.7¡§ | 9.7¡§ | ®Ú¾Ú¹ê»ÚÀ³¥Î |
¤ô§N | ¥i¿ï | ¥i¿ï | ¬O | ¥i¿ï | ®Ú¾Ú¹ê»ÚÀ³¥Î |
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
1978 ¦~ Dr. Kaufman ³Õ¤h¦b¬ü°ê³Ð¥ß Kaufman & Robinson, Inc ¤½¥q, ¬ãµo¥Í²£¦Ò¤Ò°ÒÂ÷¤l·½, ÀNº¸Â÷¤l·½©M®gÀWÂ÷¤l·½. ¬ü°ê¦Ò¤Ò°ÒÂ÷¤l·½¾ú¸g 40 ¦~§ï¨}¤Îµo®i¤w¨ú±o¦h¶µ±M§Q. Â÷¤l·½¼sªx¥Î©óÂ÷¤l²M¬~ PC, Â÷¤l»k¨è IBE, »²§UÁὤ IBAD, Â÷¤lÂq®gÁὤ IBSD »â°ì, ¤W®ü§BªF¬O¬ü°ê¦Ò¤Ò°ÒÂ÷¤l·½¤¤°êÁ`¥N²z.
Y±z»Ýn¶i¤@¨Bªº¤F¸Ñ KRI ÀNº¸Â÷¤l·½, ½Ð°Ñ¦Ò¥H¤UÁpµ¸¤è¦¡
¤W®ü§BªF: ù¥ý¥Í
¿Ý¤½ºô¦w³Æ41010502000017¸¹ 
