KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用於離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1200 eV 範圍內獲得很高的離子密度. 可以輸出大 600 mA 離子流.
KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:
陽極 | 電感耦合等離子體 |
大陽極功率 | 1kW |
大離子束流 | > 500mA |
電壓範圍 | 100-1200V |
離子束動能 | 100-1200eV |
氣體 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-40sccm |
壓力 | < 0.5mTorr |
離子光學, 自對準 | OptiBeamTM |
離子束柵極 | 14cm Φ |
柵極材質 | 鉬, 石墨 |
離子束流形狀 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 25.1 cm |
直徑 | 24.6 cm |
鎖緊安裝法蘭 | 12”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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