射頻離子源用於多層膜磁控濺鍍設備_伯東貿易（深圳）有限公司

上海伯東代理美國 KRI 射頻離子源應用於多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter, 通過使用 KRI 射頻離子源可實現基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 並且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為致密. 膜基附著力, 膜層不易脫落.

多層膜的結構廣泛用於各個領域, 而對於精密係統則需要更嚴格的規格, 包括光, 聲音和電子組件. 在單一材料薄膜無法滿足所需規格的精密係統中, 高質量多層膜的作用變得越來越重要. 因此, 新材料的開發和薄膜的控制制程已成為當前多層薄膜研究的重要方向. 特殊設計的多層膜磁控濺鍍係統擁有基板公自轉機構, 可實現的多層膜結構並可以一次批量生產.

多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter 載臺可公自轉或定在靶材位置自轉

上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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