KRI 離子源應用於電子束蒸鍍設備_伯東貿易（深圳）有限公司

KRI 離子源應用於電子束蒸鍍設備 E-beam Evaporation System
特殊的係統設計電子束沉積是一種實用且高度可靠的係統, 上海伯東某客戶電子束蒸鍍係統可針對量產使用單一大坩堝也可以有多個坩堝來達到產品多層膜結構, 在基板乘載上對應半導體研究和大型設備設計單片和多片公自轉的設計. 為了獲得大的制程靈活性, 可以結合考夫曼離子源進行離子輔助沉積或者預清潔等功能.
KRI 離子源應用於電子束蒸鍍設備

----------- 電子束蒸鍍設備 E-beam Evaporation System ----------

上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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