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KRI 離子源應用於磁控共濺鍍設備 Co-sputter
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源應用於磁控共濺鍍設備 Co-sputter 實現高質量的復合式薄膜!
磁控共濺鍍主要用於復合金屬或復合材料, 通過分別優化每一支磁控濺鍍槍 (靶材) 的功率來控制薄膜質量, 其薄膜厚度取決於濺鍍時間.
特殊係統設計的磁控共濺鍍腔提供了控制多個磁控濺鍍的制程條件, 為客戶提供質量的復合式薄膜.
濺鍍腔中, 有單片和多片式的 loading chamber, 可節省其制程腔體的抽氣時間, 進而節省整體實驗時間.
----------------------------------- 上海伯東美國 KRI 離子源安裝於濺鍍腔中 -------------------------------------
通過使用上海伯東 KRI 離子源可實現基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 並且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為致密.
濺鍍腔中在載臺部分可獨立施打偏壓, 對其基板進行清潔與增加材料的附著性等功能.
上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
豫公安備 41010502000017號