上海伯東 KRI霍爾離子源eH 1000_伯東貿易（深圳）有限公司

霍爾離子源 eH 1000

KRI 霍爾離子源 eH 1000
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 1000, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合中型真空係統. 通常應用於離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
? 可拆卸陽極組件 - 易於維護; 維護時, 大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用於 Load lock / 真空係統; 安裝方便; 無需水冷
? 等離子轉換和穩定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術參數:

型號	eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300V VDC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結構	模塊化
電源控制	eHx-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬電介質半導體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	10-36”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 1000 應用領域:
? 離子輔助鍍膜 IAD
? 預清洗 Load lock preclean
? 預清洗 In-situ preclean
? Direct Deposition
? Surface Modification
? Low-energy etching
? III-V Semiconductors
? Polymer Substrates

若您需要進一步的了解 KRi 霍爾離子源, 請參考以下聯絡方式
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