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上海伯東代理霍爾離子源 eH 3000

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詳細信息

霍爾離子源 eH 3000

KRI 霍爾離子源 eH 3000
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空係統, 與友廠大功率離子源對比, eH 3000 是目前市場上, 提供更高離子束流的離子源.
尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 3000 特性
水冷 - 加速冷卻
可拆卸陽極組件 - 易於維護; 維護時,大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
多用途 - 適用於 Load lock / 真空係統; 安裝方便
等離子轉換和穩定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 3000 技術參數

型號

eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

50-250V VDC

  - 離子源直徑

~ 7 cm

  - 陽極結構

模塊化

電源控制

eHx-25020A

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

 - 離子束發散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽極

標準或 Grooved

 - 水冷

前板水冷

 - 底座

移動或快接法蘭

 - 高度

4.0'

 - 直徑

5.7'

 - 加工材料

金屬
電介質
半導體

 - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

 - 安裝距離

16-45”

 - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架;

KRI 霍爾離子源 eH 3000 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜 ( 光學鍍膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解 KRi 霍爾離子源請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 108              T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1322                            F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076( 微信同號 )      M: +886-975-571-910
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  • 聯係人: 葉南晶 女士
  • 電話: 0755-25473928
  • 手機: 15201951076
  • 地址: 廣東省 深圳市 羅湖區鼎豐大廈501
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