HIEE300024R4 UAA326A04博士出版物中研究的電流注入技術優化了電源的開關瞬態二極管,半導體閘流管和絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)而不需要改變這些器件的結構。為了實現當前的注射技術，目前的開發了注入電路，結果表明在其開關瞬態期間注入額外電流可以減少給定功率二極管的反向恢復電荷半導體閘流管，並降低的尾電流絕緣柵雙極晶體管。
HIEE300024R4 UAA326A04的實際實驗結果二極管和半導體閘流管表明所需注入電流的幅度與峰值反向恢復電流成比例，並證明在注入額外電流期間，這些器件經歷載流子復合的瞬間增加。這有助於防止器件傳導大的負電流，從而減少其反向恢復電荷和反向恢復時間。從以下實驗中獲得的結果絕緣柵雙極晶體管顯示出當反向電流在其關斷瞬態期間注入到器件中時，電流下降到零的時間顯著減少。來自數值模擬的進一步模擬結果顯示，注入的反向電流暫時增加復合並因此減少存儲在器件內的提取的過量載流子。
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