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巴中E82EV302K4C用於創新

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巴中E82EV302K4C用於創新
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巴中E82EV302K4C用於創新
來認識一下變頻器中的晶體管

變頻器是現代工業中廣泛使用的設備,用於調節電機的速度和轉矩。變頻器的核心組件之一是晶體管,它們在控制電機的性能方面起著至關重要的作用。


晶體管開關頻率高的一個優點是可以靈活地調節變頻器的輸出電壓。晶體管開關頻率高時,控制電路 只需控制逆變器晶體管的通與斷,就能產生正弦的電機電流。因為高頻將導致電機發熱和高的尖峰電壓,所以逆變器的開關頻率需衡權考慮。開關頻率 越高,損耗就越大。

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晶體管類型

變頻器中常用的高頻晶體管主要有三種類型:

雙極型晶體管(BJT)

單極型晶體管(MOS-FET)

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

雙極型晶體管(BJT)

雙極型晶體管(BJT)具有高電流密度和低導通電阻的特點,但其開關速度較慢,控制復雜,且功耗較高。

巴中E82EV302K4C用於創新

單極型晶體管(MOS-FET)

MOS-FET晶體管具有高開關速度和低驅動功率的優點,適用於高頻應用。然而,其導通電阻較高,導致在高電流應用中損耗較大。

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

IGBT晶體管結合了BJT和MOS-FET的優點,具有高輸入阻抗和低導通電阻,適用於高功率和高頻應用。IGBT晶體管在現代變頻器中得到了廣泛的應用。

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晶體管的應用

IGBT晶體管在變頻器中的應用為廣泛,因為它們結合了MOS-FET的控制特性和BJT的輸出特性,具有適當的功率範圍、導電性和開關頻率,非常適合現代變頻器的控制。將IGBT晶體管、逆變器元件及其控制部分集成在一個模塊上,這種模塊稱為智能功率模塊(IPM)。

結型場效應管的內部結構如下圖所示。由圖可以看出,當柵源電壓(VGS)為0V時,場效應管的導電溝道寬,溝道電阻小,漏極與源極是導通的,其電阻值為直流導通電阻Ron (約幾KΩ),而柵極與其它極之間呈現單向導電性。因此使用萬用表可以很方便的將柵極與其它兩個極區分。源極和漏極不必再區分,因為結型場效應管允許源極和漏極互換使用


     型號

MSK040C-0450-NN-M1-UG0-NNNN

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MSK070D-0450-NN-M2-UG1-RNNN

MSK070D-0450-NN-M2-UP1-RNNN

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MSK101E-0202-NN-S1-AG0-NPNN

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MSK100D-0300-NN-S1-BG0-NNNN

MSK100D-0300-NN-M1-AG0-NNNN

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MHD041B-144-NP0-UN

MHD041B-144-NG0-UN

MHD071B-061-PG0-UN

MHD071B-061-PP0-UN

MHD112B-024-NG1-BN

MHD112B-024-NP1-BN

MHD112B-024-PG0-BN

MHD112B-024-PP0-BN

MAF100M-0220-FQ-M2-BH-05-N1-S040

MAD100D-0200-SA-S2-BH0-05N1

MAF160C-0200-FQ-S2-EH0-05-N1

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  • 聯係人: 羅經理 先生
  • 職位: 經理
  • 電話: 0592-6053368
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