碳化硅拋光片清洗劑 碳化硅晶片清洗劑 碳化硅襯底清洗劑 半導體硅片清洗劑
產品概述：
碳化硅拋光片清洗劑SC181是我司專為碳化硅晶片超精密加工研發的水基清洗劑，可以清除碳化硅晶片表面的微塵、細微顆粒物、有機物、金屬離子、金屬氧化物、殘留拋光液等污染物。
利用化學剝離的原理有效將鍵入在硅片表面的各種污染物去除，清洗劑中的活性物質可以吸附在硅片表面，使其長期處於易清洗的物理吸附狀態（>120h），而不像難清洗的化學吸附狀態轉化，並在表面形成保護層，防止顆粒的二次吸附，實現了把有害吸附轉化為無害吸附，有效提高外延或擴散工序的成品率。主要應用於各種硅片切割與研磨拋光後的清洗。
應用領域：
碳化硅清洗劑SC181用於半導體芯片、硅片、元器件、薄膜技術中的玻璃和金屬表面浸漬、噴淋、超聲波的清洗。
產品特點：
1.能快速清洗產品表面的硅粉、細小顆粒物，清除金屬離子、氧化物、拋光液殘留；
2.清洗後產品良率可達99.8%；
3.對工件表面無腐蝕，無殘留，不變色，無斑白點，潔凈度高；
4.不影響導電性能，不損傷電路及芯片鍍膜層；
5.滲透、去污力強，適合於形狀復雜電子零部件及深孔部件；
6.污垢殘留物經清洗、剝離後沉底，增強了循環使用的壽命；
7.無毒，無閃點，不燃不爆，使用；
8.水基環保，可做到零排放、可生物降解，符合 ROHS 指令。
物性參數：
碳化硅清洗劑SC181 | |
外觀 | 無色至微黃色液體 |
比重 | 1.02±0.02 |
水溶性 | 易溶解 |
PH | 6.0-7.0 |
性 | 不可燃、無腐蝕 |
操作工藝：
清洗殘留顆粒物：碳化硅清洗劑SC181原液1:5-10兌水稀釋使用，需加溫40-60℃，超聲波清洗5-10分鐘；
清洗殘留研磨液：超聲波清洗設備超聲振動，根據臟污情況原液使用，或兌水稀釋5-10倍使用；
適用於多晶硅、單晶硅、硅片及相關的硅片及延伸產品浸漬、噴淋清洗處理。超聲波效果更佳。
注意事項：
清洗後的碳化硅晶片應儲存在防塵的容器中，避免再次受到污染。
產品包裝、貯存和運輸：
塑料桶包裝： 25KG/桶，非危險品易於儲存和運輸；
貯存期兩年，不能露天存放，防止日曬雨淋；
未使用完的清洗劑須將桶蓋擰緊，避免水分及雜質混入。
豫公安備 41010502000017號