你好,歡迎來到世鋁網 [請登錄] [免費注冊]
世鋁網 鋁業設備
您當前的位置: 世鋁網 鋁業設備 擠壓模具 可控硅 5

可控硅

加入收藏 舉報
詳細信息
品牌:丹力 規格:KS200A 材質:鋁合金
產地:江蘇丹陽


可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。
控制極與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的範圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,並不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等。可控硅和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相採用的元件。
1、柵極上的噪聲電平
在有電噪聲的環境中,如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,並有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋,則也會被觸發導通。
應用安裝時,首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時,可用絞線或屏蔽線來減小幹擾的侵入。在然後G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,也可以再並聯一個100nf的電容,來濾掉高頻噪聲。
2、關於轉換電壓變化率
當驅動一個大的電感性負載時,在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時,雙向可控硅(晶閘管)開始換向,但由於相移的關係,電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉,而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態。
為了克服上述問題,可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網絡來限制電壓的變化,以防止誤觸發。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。
3、關於轉換電流變化率
當負載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時,會使轉換電流變化率變高,這種情況易在感性負載的情況下發生,很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感。
4、關於可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT
在處於截止狀態的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小於它的VDFM的高速變化的電壓時,內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重,在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩衝電路來限制VD/DT,或可採用高速可控硅(晶閘管)。
5、關於連續峰值開路電壓VDRM
在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的大值,此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大並擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流,那麼硅片上局部的電流密度就很高,使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流,這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上。


聯係方式
  • 聯係人: 周文彬 先生
  • 職位: 總經理
  • 真: 0511-86679458
  • 電話: 0511-86676677
  • 件: 13952835258@163.com
  • 手機: 13952835258
  • 址: 丹陽市開發區開發大道南側
公司簡介
供應商其他供應信息
還沒找到合適的產品?